Etude des defauts crees dans le germanium par les ions lourds du ganil

Study of heavy ion-induced defects in germanium at ganil accelerator

• Auteur / Autrice : Philippe Marie
• Direction : Marc Levalois
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Caen

Résumé

Lorsqu'une particule chargee traverse un materiau, elle cede son energie via deux mecanismes: les collisions elastiques avec les noyaux de la cible et les collisions inelastiques avec les electrons. Ce dernier mecanisme est de loin le plus important lorsqu'on utilise les ions du ganil, mais ses effets sont difficiles a deceler. L'irradiation cree a 300 k dans le germanium des complexes resultant de la diffusion des defauts primaires. Ces complexes se manifestent par l'apparition dans la bande interdite de niveaux discrets correspondant aux transitions d'etats de charge. Il en resulte au cours de l'irradiation une variation de la concentration des porteurs que nous detectons par des mesures in situ de resistivite et de mobilite de hall. D'autre part, des experiences de d. L. T. S. Permettent de caracteriser les defauts: ce sont des bilacunes, des complexes lacune-oxygene et lacune-impurete dopante. Les courbes experimentales sont ensuite simulees en ajustant les taux de creation de ces defauts. La comparaison de ces taux avec les calculs theoriques (trim) montrent un recuit de la bilacune aux fortes valeurs de l'endommagement qui correspondent aussi aux fortes valeurs du pouvoir d'arret electronique