Dépôt chimique de tungstène à partir de la phase gazeuse hexafluorure de tungstène-silane-hydrogène en vue d'application en connectique
Auteur / Autrice : | Thierry Charrier |
Direction : | Anne Bouteville |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences appliquées. Chimie des matériaux |
Date : | Soutenance en 1994 |
Etablissement(s) : | Angers |
Résumé
L'accroissement de la densité d'intégration des composants électroniques, engendre un certain nombre de contraintes qui se traduisent par une évolution des technologies. Le passage aux circuits multiniveaux entraine l'utilisation de diélectriques organiques (dont la stabilité thermique est limitée) et nécessite la mise en place de piliers assurant la connexion électrique des différents niveaux. La métallisation de tels piliers montre les limitations des techniques conventionnelles. Le procédé de dépôt par réaction chimique en phase gazeuse à basse pression, par son aspect sélectif permet de supprimer plusieurs étapes de photolithographie et de gravure toujours génératrices de risques de défauts dans les dispositifs. L'utilisation du silane comme réducteur de l'hexafluorure de tungstène, en augmentant très notablement la vitesse de dépôt, rend possible le remplissage des piliers dont la profondeur peut atteindre et dépasser le micron, en un temps relativement court. Dans ce mémoire, le procédé d'élaboration est étudié et optimisé par corrélation des paramètres expérimentaux et des caractérisations des dépôts obtenus. Notamment, ce travail montre la possibilité d'obtenir avec une sélectivité convenable des dépôts de tungstène de faible résistivité avec des vitesses supérieures au micron par minute à une température inférieure à 400C.