1995-05-29T23:59:59Z
2022-09-26T14:10:43Z
Simulation du rôle des migrations intercouches dans la croissance cristalline hétéroépitaxiale
1993
1993-01-01
Nous avons realise une simulation a l'echelle atomique de la croissance cristalline heteroepitaxiale multicouches en se basant sur une simulation monocouche et en introduisant de nouveaux mecanismes notamment les migrations intercouches. Le modele est base sur la mecanique moleculaire pour le calcul energetique et la methode de monte carlo pour le deroulement temporel des evenements. L'exemple choisi pour illustrer cette simulation est la transition gaas-cdte. Les resultats concernent le mode de croissance, la formation des defauts et l'etude des alliages. Pour le premier point, la croissance se fait par formation de trous delimites par des facettes (111). Ces trous s'etendent pour donner lieu a un mode de stranski-krastanov ou ils se remplissent pour donner naissance a des defauts. L'apparition des defauts ponctuels de type ponte a ete mise en evidence en introduisant le concept du substrat mou. Ces defauts s'alignent sous l'effet des couches superieures. Cet alignement est le precurseur des defauts etendus d'interface. Cette simulation a ete appliquee au cas des alliages et au cas des surfaces imparfaites. L'etude a ete faite sur le mode de croissance, l'etude des defauts, l'orientation cristalline et l'epaisseur critique. Ces resultats ont ete compares avec la loi de vegard. Une concordance avec cette loi a ete remarquee dans le cas des defauts mais il existe une difference en ce qui concerne l'orientation cristalline
Structure cristalline (solides)
Croissance cristalline
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
Surfaces (technologie)
Surfaces (physique)
Couches minces semiconductrices
Physique
Etat condense
Proprietes mecaniques et thermiques
Generalites physique
Etude theorique
Simulation
Heterojonction
Epitaxie
Croissance cristalline
Methode monte carlo
Diffusion(transport)
Semiconducteur
Gallium arseniure
Nk
Cadmium tellurure
Nk
Defaut cristallin
Mecanisme croissance
Epaisseur
Taille critique
6855
Pac
6865
Pac
0270l
Pac
Gaas
As ga
Cdte
Cd te
Theoretical study
Simulation
Heterojunctions
Epitaxy
Crystal growth
Monte carlo method
Diffusion
Semiconductor materials
Gallium arsenides
Nk
Cadmium tellurides
Nk
Crystal defects
Thickness
Critical size
Sahlaoui, Mohammed
Djafari-Rouhani, Mehdi
Toulouse 3