Simulation du rôle des migrations intercouches dans la croissance cristalline hétéroépitaxiale

par Mohammed Sahlaoui

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de Mehdi Djafari-Rouhani.

Soutenue en 1993

à Toulouse 3 .


  • Résumé

    Nous avons realise une simulation a l'echelle atomique de la croissance cristalline heteroepitaxiale multicouches en se basant sur une simulation monocouche et en introduisant de nouveaux mecanismes notamment les migrations intercouches. Le modele est base sur la mecanique moleculaire pour le calcul energetique et la methode de monte carlo pour le deroulement temporel des evenements. L'exemple choisi pour illustrer cette simulation est la transition gaas-cdte. Les resultats concernent le mode de croissance, la formation des defauts et l'etude des alliages. Pour le premier point, la croissance se fait par formation de trous delimites par des facettes (111). Ces trous s'etendent pour donner lieu a un mode de stranski-krastanov ou ils se remplissent pour donner naissance a des defauts. L'apparition des defauts ponctuels de type ponte a ete mise en evidence en introduisant le concept du substrat mou. Ces defauts s'alignent sous l'effet des couches superieures. Cet alignement est le precurseur des defauts etendus d'interface. Cette simulation a ete appliquee au cas des alliages et au cas des surfaces imparfaites. L'etude a ete faite sur le mode de croissance, l'etude des defauts, l'orientation cristalline et l'epaisseur critique. Ces resultats ont ete compares avec la loi de vegard. Une concordance avec cette loi a ete remarquee dans le cas des defauts mais il existe une difference en ce qui concerne l'orientation cristalline

  • Titre traduit

    Simulation of interlayers migrations role in heteroepitaxial crystal growth


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Informations

  • Détails : [4]-137 p

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  • Bibliothèque : Moyens Informatiques et Multimédia. Information.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : B-SAA
  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1993TOU30126
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