Etude et correction des effets de proximité et de topographie en lihographie par faisceau d'électrons. Réalisation d'un simulateur

par Abdelghafour Ouabbou

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de Jean-Paul Martinez.

Soutenue en 1993

à Toulouse 3 .


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  • Résumé

    Nous avons developpe un logiciel de simulation qui permet, par une methode de monte carlo, de modeliser les procedes de lithographie par faisceau d'electrons. Cette methode permet de reconstituer les trajectoires des electrons dans l'echantillon ainsi que la distribution de leurs depots d'energie. Le logiciel simule ainsi l'image latente formee par le faisceau electronique dans la resine et permet par suite l'etude qualitative et quantitative des effets de proximite. En simulant la retrodiffusion des faisceaux electroniques par des cibles massives, nous avons compare nos calculs theoriques avec les resultats experimentaux. Les distributions simulees sont en bon accord avec les spectres obtenus. A partir de la distribution de la densite d'energie deposee par un faisceau ponctuel nous avons determine la fonction de proximite. Nous avons simule la courbe de sensibilite de la resine sal 601 et estime la valeur de la densite d'energie seuil pour les conditions de developpement etudiees. Nous avons mis en evidence les diverses formes des effets de proximite en simulant des traces de diverses geometries. Dans le cas des lignes isolees, nous avons etudie l'evolution des effets d'intraproximite avec la largeur de la ligne. Les effets d'interproximite sont etudies en modelisant le trace de reseaux de lignes equiespacees. Pour des tolerances fixees sur la hauteur et la largeur des lignes, nous avons calcule les latitudes de dose et deduit la resolution ultime pour differentes valeurs de l'epaisseur de la resine. Le procede de double exposition propose pour l'amelioration de la resolution de la lithographie par electrons a ete simule. Nous avons optimise le flux et la penetration du rayonnement uv utilise dans ce procede. Nous avons etudie l'effet de la topographie du substrat et de la resine sur les traces lithographiques. Une methode de compensation est proposee

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Informations

  • Détails : [3]-143 f.

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1993TOU30097
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