Depot des couches de silicium polycristallin dopees in -situ au phosphore par la technologie vlpcvd : etude des proprietes physiques et electriques

par AHMED LIBA

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Michel Sarret.

Soutenue en 1993

à Rennes 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail presente une etude des depots sur substrat de verre de silicium dope in situ au phosphore, par la technique de decomposition thermique de silane a basse pression ou lpcvd. L'objectif de cette etude est la maitrise du taux de dopage de l'element phosphore dans les couches minces de silicium elaborees a une temperature n'excedant pas 600c. Nous avons cherche les parametres de depot (temperature, pression, rapport ph#3/sih#4) qui conduisent a des films permettant la realisation de transistors couches minces

  • Titre traduit

    Very law-pressure chemical vapor deposition of in situ phosphorus doped silicon films. Study of physical and electrical properties


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Informations

  • Détails : 1 vol. (148 f.)
  • Annexes : 63 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Rennes I. Service commun de la documentation. Section sciences et philosophie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TA RENNES 1993/6
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