Etude du silicium poreux de type n obtenu par voie photoelectrochimique

par ABDELGHANI LAGOUBI

Thèse de doctorat en Chimie

Sous la direction de Claude Lévy-Clément.

Soutenue en 1993

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Cette etude realisee au laboratoire de physique des solides de bellevue est centree sur l'obtention et la caracterisation du silicium poreux de type n par corrosion photoelectrochimique du silicium monocristallin en presence d'acide fluorhydrique. Un resultat marquant de ces etudes est la mise en evidence de deux couches differentes de silicium poreux. La couche superficielle dite silicium nanoporeux presentant des vides (pores) de l'ordre du manometre recouvre une couche de silicium macroporeux presentant des grands pores dont le diametre est de l'ordre du micron. La couche de silicium nanoporeux est aisement dissoute en milieu alcalin ce qui a permis d'etudier separement certaines des proprietes des deux types de silicium poreux. L'influence de divers parametres experimentaux (taux de dopage, orientation cristallographique, intensite lumineuse, charge transferee) sur la corrosion photoelectrochimique du silicium de type n, faiblement dope (n#d=10#1#5 cm##3) ou fortement dope (n#d=10#1#8 cm##3) d'orientation (100) ou (111) a fait l'objet d'une etude systematique. Les proprietes electroniques, photoelectrochimiques et optiques des deux types de silicium poreux ont ete caracterisees. L'etude de la photoluminescence a temperature ambiante indique que celle-ci est exclusivement liee a la couche nanoporeuse. La couche macroporeuse, noire d'aspect, apparait comme un materiau presque idealement absorbant et pourrait donner lieu a des applications dans le photovoltaique

  • Titre traduit

    Investigation of porous n-type silicon obtained b y photoelectrochemical etching


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Informations

  • Détails : 188 P.
  • Annexes : 169 REF.

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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-011513
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