Modelisation des transistors a effet de champ sur substrat inp par methode quasi-bidimensionnelle

par PHILIPPE ROZES

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Patrice Hesto.

Soutenue en 1993

à Paris 11 .

mots clés

Résumé

Ce travail porte sur l'etude des transistors a effet de champ sur substrat inp et sur la realisation d'un logiciel de conception assistee par ordinateur basee sur la methode quasi-bidimensionnelle. A partir d'une methode classique, nous avons elabore des modeles originaux pour simuler le comportement statique, dynamique et en bruit des dispositifs consideres. Un logiciel de cao a ete developpe qui permet la resolution numerique des equations discretisees issues de ces modeles. Nous montrons l'efficacite de nos modeles pour la comprehension du comportement des dispositifs existants, l'optimisation des nouvelles structures et la mise au point des modeles utilises en conception de circuits. Nous portons un interet particulier aux structures mesfet a canal gaas hetero-epitaxiees sur substrat inp. Nos modeles sont en tres bon accord avec les approches plus lourdes et avec les mesures experimentales. Nous estimons leurs limites de validite et nous evaluons leurs avantages sur les methodes quasi-bidimensionnelles existantes. Nous concluons sur l'avenir de telles methodes et sur les developpements qu'il convient de realiser dans l'immediat

Titre traduit

Modelling of field effect transistors on inp substrate by quasi-2d methods

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