Developpement d'un banc automatique de mesure de parametres de bruit en hyperfrequences caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ iii-v

par ALI BOUDIAF

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Guy Vernet.

Soutenue en 1993

à Paris 11 .

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  • Résumé

    Actuellement, que ce soit a un niveau de laboratoire ou a un niveau de production, la caracterisation en bruit haute frequence joue un role tres important dans l'optimisation des parametres technologiques des transistors, ainsi que dans la mise au point de circuits faible bruit. Ce travail s'insere dans ce contexte; il montre, d'une part, la demarche suivie pour le developpement d'un banc de mesure automatique des parametres de bruit en hyperfrequence, et d'autre part, l'approche qui permet d'extraire un modele en bruit de transistor a effet de champ iii-v de type mesfet, hemt et phemt. Apres quelques rappels sur les origines et le traitement du bruit electrique dans le transistor tec, dans la premiere partie, nous presentons, dans la deuxieme partie, une synthese des principales techniques de mesure de bruit, et nous decrivons l'instrumentation associee. Forts de cette analyse, nous presentons dans la troisieme partie, la mise en uvre d'un nouveau banc de mesure des parametres de bruit dans la gamme des microondes, utilisant une architecture du recepteur de bruit simplifiee, basee sur un melange a rejection d'image. Par la suite, divers types de tests et de mesures comparatives ont ete effectues pour la validation. Par ailleurs, deux ameliorations significatives ont ete apportees. La premiere a consiste a augmenter la precision de mesure, a l'aide d'un nouvel algorithme d'extraction des parametres de bruit, la seconde a se doter de moyens de verification, a l'aide d'un nouveau dispositif passif, original, adapte au test sur tranche. La derniere partie est consacree a la modelisation en bruit de transistors a effet de champ. L'exploitation de l'ensemble des outils de caracterisation en bruit a finalement ete faite sur le transistor gaas sur inp. Cette etude a montre l'influence de l'epaisseur du buffer gaas sur les performances en bruit de ce type de transistor


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Informations

  • Détails : 275 P.
  • Annexes : 90 REF.

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  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-011238
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