Optimisation et comparaison de technologies autoalignees pour le transistor bipolaire a heterojonction gaas/gaalas

par VERONIQUE AMARGER

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de ALAIN L'HOIR.

Soutenue en 1993

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La finalite de cette these est d'optimiser et de comparer des technologies autoalignees pour la fabrication de transistors bipolaires a heterojonction (tbh) gaalas/gaas en technologie autoalignee. Nous avons centre notre etude sur 2 technologies : une technologie autoalignee implantee et une technologie autoalignee double mesa (phbt). Dans le cadre du developpement de la technologie autoalignee implantee, nous avons optimise le contact d'emetteru en gemow, qui permet de realiser l'autoalignement en jouant le role de masque pendant l'implantation de type p. Nous avons optimise les conditions de depot des films de w et de mo pour reduire la contrainte, la resistivite et la contamination oxygene. Au cours de cette etude, nous avons montre l'importance du controle de la temperature du porte-substrat. D'autre part, nous avons optimise les parametres de l'implantation mg, permettant de contacter la base depuis le haut de la structure, ainsi que le recuit d'activation associe. Parallelement, nous avons optimise les etapes elementaires permettant de realiser des tbh en technologie autoalignee double mesa, a partir d'une nouvelle structure epitaxiale elaboree au cnet. Nous avons etudie le contact d'emetteur qui sert de masque pour l'autoalignement ; ce contact en w est depose sur une couche en gainas n+. La gravure du mesa d'emetteur a ete optimisee pour obtenir des flancs rentrants, ce qui permet de realiser l'autoalignement de la metallisation de base par rapport a la metallisation d'emetteur. Des dispositifs tbh ont ete realises : la technologie autoalignee implantee reste difficile a maitriser ; tandis que la nouvelle technologie double mesa (phbt) est simple et permet de realiser des composants a hautes performances frequentielles.


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Informations

  • Détails : 258 P.
  • Annexes : 105 REF.

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Accessible pour le PEB
  • Cote : TS1993
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