Etude du photo-depot et du traitement de films mincxes de sio#2 sur materiaux iii-v induits par une nouvelle lampe uv a eclairs

• Auteur / Autrice : CHRISTOPHE DEBAUCHE
• Direction : FRANCOIS ROCHET
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Paris 7

Résumé

Le depot de silice par photolyse directe ou ultraviolet induced chemical vapour deposition (uvcvd) constitue une alternative interessante aux depots assistes par plasma dans le cadre de depot d'isolants sur des materiaux iii-v, ou sur des structures thermiquement fragiles. La spectroscopie ft-ir couplee a une technique de multiples reflexions internes (mirs) a ete utilisee dans l'etude des mecanismes de photodepot de silice a partir du systeme de gaz sih#4/o#2. Notamment, un site d'incorporation du silicium a la surface du film a ete mis en evidence et identifie comme etant lie a la configuration moleculaire o#2=sih#2. De maniere analogue, nous avons depose de la silice sur inp utilisant du protoxyde d'azote (n#2o) et du silane comme gaz reactifs. L'influence des conditions de depot sur la quantite d'azote incorpore dans les films a ete etudiee par spectroscopie ft-ir, par spectroscopie d'electrons auger, par analyse de reactions nucleaires, et par mesures electriques c-v de diodes mis. Le nombre et la nature des defauts de type liaisons pendantes ont ete etudies par resonance paramagnetique electronique en fonction de la pression totale de depot. Les images obtenues par microscopie a force atomique et par microscopie electronique a balayage montrent une augmentation de la rugosite de surface des films a-sio#2 en fonction d'une elevation de la pression totale de depot. L'exposition de films sio#2 uvcvd a une intense irradiation ultraviolet comprise entre 170 et 250 nm est a l'origine d'une complete elimination des liaisons si-h. La photo-reaction intervient a tres basse temperature (100c) dans le volume du film independamment de l'epaisseur, et ce sans creer de liaisons pendantes. Le recuit uv applique a des silices de types pecvd et spin on glass (sog) s'est montre efficace dans la reduction des groupements c#nh#y