Etude du comportement sous ions lourds des mosfets de puissance à canal N

par Franck Roubaud

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Jean Gasiot.

Soutenue en 1993

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Les mosfets de puissance a canal n, soumis a un flux de particules ionisantes (exemple ions lourds), sont l'objet de perturbations electriques pouvant entrainer une derive de leurs performances, une alteration durable ou momentanee de leur fonctionnalite ou tout simplement leur destruction. L'utilisation de ces composants en milieu spatial necessite des technologies plus tolerantes ou durcies a ce type de contraintes. Les solutions de durcissement au seb (single event burnout) de ces transistors de puissance passent necessairement par des etudes experimentales de la sensibilite a l'effet des ions lourds de differentes technologies et par l'utilisation de logiciels de simulation de composants en tant qu'outil de prediction

  • Titre traduit

    Study of n channel power mosfets behaviour irradiated with heavy ions


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Informations

  • Détails : [9]-167 f
  • Annexes : Bibliogr.: p. 133-143

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