Etude de la croissance cristalline de carbure de silicium et des technologies pour la réalisation de transistors MOS

par Nicolas Bécourt

Thèse de doctorat en Chimie des matériaux

Sous la direction de Bernard Cros.

Soutenue en 1993

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Le carbure de silicium, de par ses proprietes physiques et electriques, est un materiau semiconducteur interessant pour des applications micro-electroniques fonctionnant en milieu hostile. Sa stabilite chimique ainsi que sa large bande interdite permettent des applications dans le domaine des hautes temperatures. De plus, les valeurs de champ de claquage, de conductivite thermique, et de vitesse limite des electrons favorisent egalement des applications dans le domaine de la forte puissance et des hautes frequences. Le projet a ete oriente vers la realisation d'un dispositif electronique elementaire operant a haute temperature, l'objectif futur etant l'elaboration d'un transistor mos sur carbure de silicium. La realisation de ce dispositif passe d'abord par la synthese du materiau sic, et ensuite par la mise au point des differentes etapes technologiques necessaires a l'assemblage d'une technologie mos. L'epitaxie de sic a ete realisee par depot chimique en phase vapeur. Des films monocristallins de variete sic-3c(100) epitaxies par substrat de si(100) ont ete realises et caracterises physiquement et electriquement. Nous avons egalement etudie la croissance de films de variete sic-3c(111) et sic-6h(0001) sur substrat de sic-6h(001). Nous avons decrit la cinetique de l'oxydation thermique de sic. Les oxydes, realises par voie humide ou par voie seche, ont ete caracterises physiquement. Des tests electriques, effectues sur structure: mos al/sio2/sic, ont revele une qualite d'oxyde satisfaisante pour la realisation d'isolant de grille de transistors mos. L'implantation ionique d'azote dans sic a egalement ete etudiee. Nous avons pu mettre en evidence l'activation electrique de l'azote implante, ceci permettra la realisation des zones source et drain de transistors mos

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  • Détails : 225 p
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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
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  • Cote : TS 93.MON-150
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