Etude de la conduction et du bruit de fond de structures M. O. S. En vue de caractériser le durcissement de leur technologie

par Alain Hoffmann

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de Dominique Rigaud.

Soutenue en 1993

à Montpellier 2 .

mots clés

• MOS (électronique) -- Technologie
• Composants électroniques
• Bruit radioélectrique
• Faisceaux électroniques
• Matériaux -- Effets des rayonnements
• Durcissement superficiel

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Résumé

L'objectif de ce travail est la caracterisation de structures mos avant et apres irradiation au co60 afin de determiner si le niveau de bruit en 1/f avant irradiation peut etre considere comme un indicateur de durcissement de leur technologie. Une etude theorique du fonctionnement des composants et de leur bruit de fond est presentee mettant en evidence les parametres susceptibles d'evoluer au cours des irradiations. Les resultats experimentaux confirment l'existence d'une correlation entre l'evolution de la tension de seuil et le bruit de fond mais montrent le role preponderant des resistances d'acces sur les resultats obtenus. Le comportement en bruit a egalement permis de detecter et d'analyser des defauts particuliers crees par les irradiations. L'etude des capacites mos irradiees et leur simulation a partir du modele developpe ont permis de confirmer les resultats obtenus sur les transistors