Caractérisation structurale par microscopie électronique en transmission des systèmes à fort désaccord paramétrique : GaAs-Si et GaAs-InP

par Jaafar Meddeb

Thèse de doctorat en Sciences. Sciences des matériaux

Sous la direction de Michel Pitaval.

Soutenue en 1993

à Lyon 1 .

Le jury était composé de Michel Pitaval.


  • Résumé

    La croissance de gaas/si et gaas/inp est attrayante a plusieurs titres pour la realisation de circuits optoelectroniques. Dans les deux cas l'ecart de parametres de maille est de 4,1% pour gaas/si et -3,7% pour gaas/inp ainsi que la difference des coefficients de dilatation thermique sont sources de defauts lineaires et plans. Au cours de ce travail nous avons caracterise par met conventionnelle et en haute resolution des couches de gaas deposees sur si et inp par differentes techniques epitaxiales et nous nous sommes particulierement interesses aux mecanismes de nucleation des dislocations d'interface et a la reduction de la densite des dislocations de volume qui est de l'ordre de 10#9 cm##2 pour des couches n'ayant subi aucun traitement. Plusieurs processus ont ete etudies pour reduire cette densite: l'introduction de superreseaux faiblement contraints de (gaas/alas) a differentes distances de l'interface et avec differentes periodicites, l'application de recuits post-croissance standards, l'introduction de cycles thermiques ou de recuits de croissance ou de superreseaux contraints (gainas/gaas) ne permettait d'atteindre que des densites de l'ordre de 210#7 cm##2. Cette densite loin des 10#4 cm##2 souhaites semble etre une propriete des heterostructures a fort desaccord de parametre (f>3%)

  • Titre traduit

    Transmission electron microscopy characterization of highly mismatched heterostructures: gaas/si and gaas/inp


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Informations

  • Détails : 1 vol. (vii-154 p.)
  • Annexes : Bibliogr. pagination multiple [8] p.

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