Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V : applications à l’étude de structures contraintes GaInAs-GaAs et de HEMT AlInAs-GaInAs/InP

par Nathalie Matrullo

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Monique Constant et de Renaud Fauquembergue.

Soutenue en 1993

à Lille 1 .


  • Résumé

    Ce travail présente une étude expérimentale de caractérisations par spectrométrie Raman d'hétérostructures contraintes gainas/gaas et de transistors à effet de champ alinas/gainas adaptés en maille sur inp. Dans un premier chapitre, nous rappelons les éléments théoriques adaptés à l'étude par spectrométrie Raman des semiconducteurs iii-v de structure zinc-blende non intentionnellement dopés et dopés de type n. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude et à l'interprétation des spectres Raman des matériaux gainas et alinas. Le signal Raman de gainas est étudié sur une grande gamme de composition. La dernière partie est consacrée aux effets du dopage de type n sur la réponse Raman des deux matériaux ternaires. Les résultats obtenus dans ce chapitre servent de références lors de l'analyse des hétérostructures. Le troisième chapitre concerne l'analyse quantitative des contraintes dans des superréseaux gaas/gainas par spectrométrie Raman et double diffraction x. Enfin, le quatrième chapitre est consacré à l'analyse Raman de couches de hemt alinas/gainas/inp adaptés en maille ou pseudomorphiques. Ensuite, nous présentons les résultats Raman obtenus sur un transistor en fonctionnement

  • Titre traduit

    Raman spectrometry characterization of iii-v materials : applications to the study of gainas/gaas strained structures and of alinas/gainas/inp hemt


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Informations

  • Détails : 1 vol. (197 f.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1993-243
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