Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes

par Bertrand Splingart

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Yves Druelle.

Soutenue en 1993

à Lille 1 .


  • Résumé

    L'étude que nous présentons a pour objet la caractérisation du dopage planaire silicium dans les matériaux gaas et gaalas épitaxies par jets moléculaires pour la réalisation de transistors à effet de champ microondes. La réalisation du dopage planaire consiste à interrompre la croissance du matériau pendant le dépôt des éléments dopants. L'étude a permis de vérifier le confinement des impuretés silicium dans la couche. Dans ces conditions la caractérisation électrique en densité d'électrons et en mobilité a été effectuée. Des conditions de croissance ont été définies pour la réalisation de transistors à effet de champ (mesfet) et a hétérojonction (hemt). Les résultats obtenus ont montré l'intérêt du dopage planaire dans le cas de transistors à hétérojonction en prenant particulièrement en compte d'une part, les effets liés aux centres dx dans l'algaas et d'autre part, l'épaisseur de l'espaceur entre l'interface gaas/gaalas et le plan de dopage. Cette étude a montré dans certains cas la supériorité du plan de dopage par rapport au pulsé dopage dans une structure hemt. Ces résultats ont contribué à l'amélioration des conditions de réalisation des structures afin d'augmenter les performances des composants

  • Titre traduit

    Silicon planar doping growth by molecular beam epitaxie in gaas and gaalas layers : applications for microwave devices realization


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Informations

  • Détails : 1 vol. (96 f.)
  • Annexes : Notes bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1993-209
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