Etude comparée du transport par effet tunnel résonnant dans les hétérostructures semiconductrices de type I et II en présence de pression hydrostatique et de fort champ magnétique

par Alain Nogaret

Thèse de doctorat en Physique et structure des solides

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1993

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Nous etudions la combinaison de l'effet tunnel resonnant avec l'effet tunnel interbande dans les heterostructures presentant un alignement de type ii. Dans les heterostructures de type i, la quantification magnetique montre qu'un electron avec une importante energie cinetique transverse conserve son energie plutot que son vecteur d'onde transverse, la pression hydrostatique met en evidence un pic de courant extraordinaire que nous attribuons a la formation de niveaux x lies dans les barrieres alas, le calcul clarifie la contribution des modes de phonons lo locaux au courant vallee. Nous exposons les procedes lithographiques que nous avons mis au point pour elaborer le systeme inas/alsb/gasb. Nous soulignons l'importance du choix de l'energie de fermi dans les electrodes et ses multiples consequences sur la forme des caracteristiques courant-tension des heterostructures de type ii. Nos resultats devoilent les mecanismes physiques responsables du courant resonnant interbande et suggerent l'existence d'une bande interdite d'hybridation due au couplage electron-trou. Nous interpretons l'effet tunnel interbande a travers des sous-bandes de trous par les regles de selection usuelles et observons pour la premiere fois la bistabilite intrinseque dans une structure de type ii. Ces resultats nous amenent a comparer les performances de dispositifs electroniques utilisant soit l'effet tunnel resonnant soit l'effet tunnel resonnant interbande

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Informations

  • Détails : [5]-167-[8] p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1993/258/NOG
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