Etude du comportement des IGBT dans les convertisseurs en haute fréquence

par Dominique Ligot

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.


  • Résumé

    L'IGBT intègre sur un même cristal les structures des transistors MOS et bipolaires et possède les avantages et malheureusement certains inconvénients de ceux-ci. Il semble être le composant actuellement le mieux adapté à la moyenne puissance moyenne fréquence. Une analyse approfondie de son comportement, s'appuyant sur la physique du comportement, nous permet d'expliquer différents phénomènes électriques liés à son utilisation. Grâce à une meilleurs connaissance du composant, nous étudions les pertes de différents IGBT dans certains cas particulier. Nous soulignons l'influence de différents paramètres (électrique, physique, temporel) sur celles-ci afin de proposer suivant l'utilisation des critères de choix parmi les différents composants. Cette étude facilite le choix d'un composant et conduit à une meilleure utilisation de l'IGBT grâce à différents critères proposés.

  • Titre traduit

    = IGBT's behaviour analysis inside high frequency converters


  • Résumé

    The JGBT device monolithically integrates the MOS and junction-bipolar transistor structures Then the device cumulates the two structures advantages but also several drawbacks The JGBT seems to be the best suited device in the mid-power mid-frequency area A semiconductor physics-based accurate analysis of the device behaviour lets us explain several electrical operating problems Under a better knowledge of device, we have studied the power losses of different IGBT's in particular operating conditions. We enlighten the sensitive of many parameters (electrical, physical, time related) on power-losses so as to propose criteria for the choice in given operating conditions. The study eases the choice of a device and then leads to a better operation of the IGBT in relation with different proposed criteria.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (132 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(1598)
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