Characterisation physico-chimique, simulation et modelisation d'une technologie analogique avancee bic mos

par MARC TARABBIA

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de J. C. DUPUY.

Soutenue en 1993

à Villeurbanne, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce travail a pour objectif l'etude et la comprehension des phenomenes physicochimiques apparaissant au cours de la fabrication de circuits integres analogiques bipolaires. Une certaine maitrise de ces phenomenes nous a permis d'inclure sur la filiere existante de nouvelles structures. Les proprietes de ces nouvelles structures a leur tour analysees, offrent plus de facilites et de possibilites aux concepteurs de circuits. La modelisation physico-chimique (suprem, supra) et electrique (sedan, pisces) a ete realisee apres amelioration des modeles et verification des liens entre eux. Les nouvelles etapes introduites dans le procede afin de construire des structures de type mos ont ete controlees par simulation et notamment dans la conservation des performances des cellules de base bipolaire. La confirmation des resultats de ces simulations a pu etre verifiee par les mesures de profils de dopants (sims) et les mesures electriques sur silicium, ce qui a demontre la faisabilite d'integrer des transistors de type nmos et pmos sur notre filiere bipolaire. Conjointement, par souci de simplification dans la conception des circuits et de complementarite des cellules bipolaires nous avons introduit plusieurs options de transistors pnp verticaux isoles. Au niveau actuel de notre travail, sur cette structure subsistent encore des options a affiner


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Informations

  • Annexes : 124 REF

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
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