Transistors à effet de champ MESFET GaAs réalisés en désaccord de maille sur InP pour l'intégration micro-optoélectronique à 1,3-1,5 microns

par Mourad Chertouk

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Alain Chovet.

Soutenue en 1993

à Grenoble INPG .

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  • Résumé

    Après avoir brièvement indique, dans le premier chapitre, les différents matériaux et technologies aptes à une intégration micro-opto-électronique pour la réception a grande sensibilité ou l'émission a haut débit, nous présentons les motivations de l'hetero-epitaxie GaAas sur inp et les problèmes qui peuvent surgir lors de l'intégration de composants microélectroniques gaas sur désaccord de maille sur inp. Dans le deuxième chapitre, nous montrons la corrélation directe observée entre l'augmentation de l'épaisseur du buffer Ga As non dope et l'amélioration de la qualité cristalline et électrique du canal GaAs, ainsi que les performances statiques et dynamiques du MESFET. Dans le troisième chapitre, nous présentons différentes méthodes de caractérisation des pièges profonds, qui nous ont permis d'évaluer les paramètres du piège lie au désaccord de maille. Nous montrons aussi l'effet de ce piège sur le courant de fuite de grille. Une étude complète du bruit basse fréquence en l/f dans les MESFETS GaAs/InP est présentée dans le chapitre iv. Dans le dernier chapitre nous montrons l'effet du piège de désaccord de maille sur le facteur minimum de bruit hyperfréquence pour les mesfets GaAs/inp. Nous terminons par la réalisation et la caractérisation de modules de photo réception pin-MESFET GaAs/InP

  • Titre traduit

    Field effect transistor GaAs MESFET realized on lattice mismatch InP for opto-elctronic integrated circuits at 1,3-1,5 micron


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Informations

  • Détails : 1 vol. (183 p.)
  • Annexes : 132 ref

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 93/INPG/0190
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