Etude par microscopie électronique haute résolution d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI épitaxiées par jets moléculaires

par Pierre-Henri Jouneau

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux, métallurgie

Sous la direction de Kristina Sanimadayar.

Soutenue en 1993

à Grenoble INPG .


  • Résumé

    Nous presentons une etude d'heterostructures de semiconducteurs ii-vi fabriquees par epitaxie par jets moleculaires. L'outil principal d'investigation est la microscopie electronique haute resolution, dont les resultats sont correles a ceux d'autres techniques de caracterisation: diffraction x, spectroscopie optique, cathodoluminescence, canalisation d'ions. Trois themes complementaires sont abordes dans ce memoire: la mise au point de la croissance et la caracterisation des heterostructures cdmnte/cdte; la caracterisation de la morphologie des interfaces cdte/znte et cdte/mnte a l'echelle atomique; l'etude de l'implantation ionique qui permet un melange intentionnel et controle des interfaces

  • Titre traduit

    High resolution electron microscopy study of ii - vi semiconducting heterostructures grown by molecular bean epitaxy


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Informations

  • Détails : 1 vol. (202-XVII p.)
  • Annexes : Bibliogr. 191 ref

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 93/INPG/0171
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