High resolution electron microscopy study of ii - vi semiconducting heterostructures grown by molecular bean epitaxy

• Auteur / Autrice : Pierre-Henri Jouneau
• Direction : Kristina Sanimadayar
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux, métallurgie
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Grenoble INPG
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Centre d'études nucléaires (Grenoble1956-2006)

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Heterojonction

Semiconducteur ii-vi

Epitaxie jet moleculaire

Caracterisation

Met

Methode haute resolution

Croissance cristalline en phase vapeur

Interface solide solide

Morphologie

Implantation ion

Diffusion(transport)

6835

Pac

6855b

Pac

6116b

Pac

Experimental study

Heterojunctions

Ii-vi semiconductors

Molecular beam epitaxy

Characterization

Tem

High-resolution methods

Crystal growth from vapors

Solid-solid interfaces

Morphology

Ion implantation

Diffusion

Résumé

Nous presentons une etude d'heterostructures de semiconducteurs ii-vi fabriquees par epitaxie par jets moleculaires. L'outil principal d'investigation est la microscopie electronique haute resolution, dont les resultats sont correles a ceux d'autres techniques de caracterisation: diffraction x, spectroscopie optique, cathodoluminescence, canalisation d'ions. Trois themes complementaires sont abordes dans ce memoire: la mise au point de la croissance et la caracterisation des heterostructures cdmnte/cdte; la caracterisation de la morphologie des interfaces cdte/znte et cdte/mnte a l'echelle atomique; l'etude de l'implantation ionique qui permet un melange intentionnel et controle des interfaces