Etude par microscopie electronique haute resolution d'heterostructures de semiconducteurs ii vi epitaxiees par jets moleculaires

par PIERRE-HENRI JOUNEAU

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de KRISTINA SANIMADAYAR.

Soutenue en 1993

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Nous presentons une etude d'heterostructures de semiconducteurs ii-vi fabriquees par epitaxie par jets moleculaires. L'outil principal d'investigation est la microscopie electronique haute resolution, dont les resultats sont correles a ceux d'autres techniques de caracterisation: diffraction x, spectroscopie optique, cathodoluminescence, canalisation d'ions. Trois themes complementaires sont abordes dans ce memoire: la mise au point de la croissance et la caracterisation des heterostructures cdmnte/cdte; la caracterisation de la morphologie des interfaces cdte/znte et cdte/mnte a l'echelle atomique; l'etude de l'implantation ionique qui permet un melange intentionnel et controle des interfaces


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Informations

  • Détails : 219 P.
  • Annexes : 191

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