Etude de procédés intégrés pour la passivation de matériaux semiconducteurs III-V combinant des traitements de surface par plasma et des dépôts photochimiques

par Olivier Dulac

Thèse de doctorat en Sciences. Génie des matériaux

Sous la direction de Yves Pauleau.

Soutenue en 1993

à Grenoble INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le developpement de l'utilisation des semiconducteurs iii-v en micro-optoelectronique et la reduction de la taille des motifs utilises ont necessite le developpement de nouvelles techniques de depot de dielectriques et de traitements de passivation de surface specifiques a ces materiaux. Ces nouvelles techniques de depot combinant le depot par reaction chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) et des sources de lumiere incoherentes emettant dans l'infrarouge (rtcvd) et l'ultraviolet (uvcvd) ont ete validees sur un equipement prototype industriel, et sur des substrats de grande dimension (50 mm de diametre). En outre, l'utilisation d'une source uv pulsee puissante a permis de developper un nouveau procede de depot de nitrure de silicium (si#3n#4) a basse temperature avec des cinetiques de depot importantes. Les films de si#3n#4 ainsi obtenus ont ete utilises dans des structures mis sur inp et presentent d'excellentes caracteristiques electriques sans qu'aucun recuit de guerison ne soit necessaire. Nous avons reussi a passiver efficacement la surface de l'arseniure de gallium par plasma multipolaire micro-onde distribue fonctionnant a la resonance electronique cyclotronique (pmm-drce) d'hydrogene. L'effet de passivation de la surface a ete mis en evidence par des mesures de photoluminescence. Nous avons aussi observe que l'exposition de la surface au plasma d'hydrogene causait une neutralisation partielle des porteurs electriques dans le volume. Des traitements thermiques rapides a haute temperature (rta) permettent ensuite de restaurer completement l'activite electrique du materiau. Nous proposons un procede integre de passivation de la surface de gaas combinant un traitement par plasma d'hydrogene, un recuit rapide et le depot d'un dielectrique par uvcvd et demontrons son efficacite sur des composants a base de gaas tels que des capacites mis et des transistors bipolaires a heterojonction (tbh) gaas/gaalas

  • Titre traduit

    Study of integrated processes for the passivation of iii-v semiconductors materials combining surface treatment by plasma and photochemical deposition


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  • Détails : iii, 168, 20 p

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 93/INPG/0138
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