Modelisation physique du vieillissement et methodes d'extraction des parametres des transistors mos submicroniques sur silicium massif et soi

par ABDELKADER HASSEIN-BEY

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Sorin Cristoloveanu.

Soutenue en 1993

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La reduction des dimensions des dispositifs elementaires composant les circuits integres, a ete rendue possible par les progres de la technologie microelectronique. L'augmentation de la densite d'integration induit un accroissement des champs electriques a l'interieur du transistor, d'ou une injection de porteurs chauds dans l'oxyde de grille et une creation de defauts. La comprehension des mecanismes physiques de degradation est fondamentale pour aboutir a des solutions technologiques permettant d'attenuer le phenomene de vieillissement. Cette comprehension est le fruit d'etudes menees sur la degradation des performances des dispositifs dans le but d'evaluer l'ampleur et la nature des dommages engendres. L'objectif de notre travail n'est pas d'effectuer une etude systematique du vieillissement, mais de developper et de mettre au point des modeles et des methodes specifiques de caracterisation de transistors mos degrades ultra-courts. Ainsi, nous aborderons la simulation et la modelisation des tmos, en nous concentrant sur le cas des canaux de type p. Ceci nous permettra de mettre au point des methodes efficaces d'extraction de parametres. Les technologies silicium sur isolant ou soi (silicon on insulator) apparaissent comme une alternative interessante pour la microelectronique, pouvant serieusement concurrencer les technologies plus classiques sur silicium massif. Nous abordons en detail le probleme du couplage des interfaces dans les tmos soi ultra-minces. On traite aussi de la modelisation des effets des degradations dans les tmos soi ultra-courts afin de mieux comprendre les aspects typiques et complexes lies au vieillissement de ces transistors


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Informations

  • Détails : 150 P.
  • Annexes : 108 REF.

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