Optimisation de structures et de technologies pour la realisation de drain/source de transistors mos submicroniques

par JEAN-LUC OGIER

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de G. VINCENT.

Soutenue en 1993

à Grenoble 1 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Afin de reduire les effets de canaux courts et de porteurs chauds, nous avons etudie differentes solutions technologiques concernant les drain/source de transistors metal oxyde silicium (mos) submicroniques. Cette etude a ete realisee dans le cadre de filieres cmos (mos complementaires) submicroniques (0. 7-0. 5-0. 35 micron). Concernant le transistor nmos, notre etude vise a reduire les phenomenes de degradations par porteurs chauds qui affectent la fiabilite du dispositif. Nous nous interessons uniquement a la partie faiblement dopee du drain (ldd). Nous presentons dans un premier temps les resultats concernant la comparaison ldd arsenic/phosphore pour une technologie 0. 5 micron. Nous abordons ensuite l'etude d'une structure ldd implantee avec un fort angle de tilt dans le cadre d'un procede 0. 35 micron. Pour le transistor pmos, nous presentons differents essais visant a reduire la profondeur des jonctions de drain/source et nous traitons l'aspect degradation par porteurs chauds avec l'etude de la structure ldd pmos. Cette etude s'est concretisee par l'adoption de choix technologiques sur les filieres du cnet et de ses partenaires (matra-mhs, centre commun cnet-st)


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Informations

  • Détails : 144 P.
  • Annexes : 130 REF.

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