Dopage indium d'hétérostructures CdTe/CdZnTe en épitaxie par jets moléculaires

par Franck Bassani

Thèse de doctorat en Phys.

Sous la direction de Serge Tatarenko.

Soutenue en 1993

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

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  • Résumé

    Ce travail concerne le dopage indium des couches minces de cdte et des heterostructures cdte/cdznte elaborees par la technique d'epitaxie par jets moleculaires selon les orientations (001), (111) et (211). Nous avons mis en evidence l'importance des conditions stchiometriques de surface durant la croissance: un flux excedentaire de cd controle ainsi qu'une temperature d'elaboration basse (220c) sont necessaires. Pour une gamme de concentration d'indium comprise entre 10#1#6 et 10#1#8 cm##3, l'analyse des proprietes electrique et optique des couches minces de cdte(001) uniformement dopees montre une activite electrique proche de l'unite et l'absence de centres profonds. Le dopage planaire des heterostructures cdte/cdznte a ete realise avec succes: l'optimisation des conditions de spectrometrie de masse des ions secondaires permet de deduire que le dopant in est tres bien localise spatialement (<15 a); une etude spectroscopique de la variation de l'energie de localisation de l'exciton sur le donneur en fonction du confinement quantique a ete entreprise. Nous presentons egalement les resultats de dopage selon les orientations (111) et (211). L'utilisation de substrats (111) legerement desorientes et orientes (211) permet de s'affranchir des macles. En particulier, l'orientation (211) permet d'elaborer des couches d'excellente qualite cristalline dont les proprietes electriques et optiques sont voisines de celles des couches de cdte(001). Nous avons mis en evidence l'ecrantage du champ piezoelectrique pour une heterostructure cdte/cdznte(211) a dopage module

  • Titre traduit

    Indium doping of heterostructures cdte/cdznte by molecular beam epitaxy


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  • Détails : 161 p

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  • Cote : TS 93/GRE1/0043
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