Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électron (HEMT)

par Virginie Drouot

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Guy Hollinger.

Soutenue en 1993

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    LES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRON SONT TRES ATTRACTIFS POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS HYPERFREQUENCES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION FAIBLE BRUIT. LE SYSTEME Ga1-xInxAs/AlInAs SUR InP POSSEDE DE GRANDES POTENTIALITES POUR LA REALISATION DE CES COMPOSANTS ULTRA-RAPIDES: TRES FORTE MOBILITE DES ELECTRONS DANS GAINAS ET GRANDE DISCONTINUITE DES BANDES DE CONDUCTION ENTRE GaInAs ET AlInAs. L'UTILISATION DANS LE CANAL D'UN ALLIAGE DE Ga1-xInxAs PLUS RICHE EN INDIUM QUE CELUI CORRESPONDANT A L'ACCORD DE MAILLE (x=0,53) AMELIORE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'HETEROSTRUCTURE (TRANSFERT ET MOBILITE DES ELECTRONS). L'ESSENTIEL DE CE TRAVAIL A PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS DE CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES A CANAL DE Ga1-xInxAs AVEC UNE COMPOSITION xIn LA PLUS ELEVEE POSSIBLE. NOUS AVONS ELABORE DES HETEROSTRUCTURES PSEUDOMORPHIQUES A MODULATION DE DOPAGE Ga1-xInxAs/AlInAs SUR InP, PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES EN BALAYANT UNE LARGE GAMME DE COMPOSITIONS ET DE TEMPERATURES DE CROISSANCE. LES MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DETERMINEES PAR EFFET HALL ONT ETE OBTENUES POUR UNE COMPOSITION X=0,75 ET UNE TEMPERATURE DE CROISSANCE Tc=500°C. UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET LES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES CONTRAINTES A ETE EFFECTUEE. DES CONDITIONS DE CROISSANCE OPTIMISEES, CONDUISANT A DES CINETIQUES DE SURFACE ELEVEES, NOUS ONT PERMIS D'AMELIORER L'ORDRE STRUCTURAL DE LA COUCHE CONTRAINTE ET DE DIMINUER LA RUGOSITE DES INTERFACES. DES STRUCTURES SPECIFIQUES ONT ETE REALISEES POUR FABRIQUER DES TRANSISTORS HEMT POUR DIFFERENTES COMPOSITIONS EN INDIUM DU CANAL. LA TRANSCONDUCTANCE DE TRANSISTORS D'UNE LONGUEUR DE GRILLE DE 4 um AUGMENTE DE 100 A 210 mS/mm LORSQUE LA COMPOSITION EN INDIUM DANS LE CANAL AUGMENTE DE 53 A 75%


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  • Détails : 1 vol. (220 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 120 réf.

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