Caractérisation d'oxydes de sicilium par spectroellipsométrie et par gravure chimique

par Bichr Skheyta

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Alain Gagnaire.

Soutenue en 1993

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    L'objectif de ce travail est la mise au point d'une méthode de caractérisation d'oxydes par gravure chimique, l'épaisseur des oxydes étant contrôlée par ellipsométrie spectroscopique. Cette méthode est appliquée à l'étude du système Si02/Si, élément de base de la technologie silicium en micro-électronique.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Oxides deposited by various techniques differ in their resistance to certain etchants. It is well known that the dissolution rate of an oxide film in a chemical etchant is a method to obtain qualitative informations on the structure an composition of these films.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (96 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 57 réf.

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T1845
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