Etude par microscopie électronique en réflexion du comportement thermique des marches monoatomiques sur les surfaces vicinales à la face (111) du silicium

A reflection electron microscopy study of thermal behaviour of monoatomic steps on silicon surfaces vicinal of (111)

• Auteur / Autrice : Claude Alfonso
• Direction : Jean-Claude Heyraud
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Croissance cristalline

Silicium

Résumé

La microscopie electronique en reflexion (r. E. M. ) est une des techniques permettant d'imager les marches de hauteur monoatomique sur les surfaces vicinales d'un cristal. Realise in situ sous ultravide, le r. E. M. Permet de plus d'etudier, en temps reel, le mouvement de ces marches a haute temperature. Il est donc possible, non seulement de caracteriser le comportement de ces marches, mais encore d'obtenir de nombreuses informations sur les processus de croissance d'un cristal. Dans ce but, nous avons etudie par r. E. M. Le comportement thermique des marches monoatomiques sur les surfaces vicinales a la face (111) du silicium. Le comportement de ces marches a ete caracterise a la fois en regime d'equilibre (a une temperature de 900c) et en regime de sublimation (pour des temperatures allant de 1000 a 1300c). Nos resultats experimentaux nous permettent de discuter la validite de differents modeles theoriques notamment en ce qui concerne l'interaction entre marches et la diffusion des adatomes