Courbure de bandes à l'interface des hétérostructures ZnSe/GaAs : une étude par spectrométrie Raman

par Olivier Pages

Thèse de doctorat en Physique des solides

Sous la direction de MARIE RENUCCI.

Soutenue en 1992

à Toulouse 3 .


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  • Résumé

    Le materiau ii-vi znse, a large gap direct, generalement obtenu par epitaxie sur un substrat de gaas, suscite une attention croissante dans le domaine de la realisation de composants electroniques operationnels dans la gamme du visible que ne peuvent pas couvrir les structures a base de materiaux iii-v. Le domaine du proche-interface cote gaas de ces heterostructures elaborees par mocvd, sur un substrat semi-isolant, presente des proprietes electroniques originales. Son etude est menee par spectrometrie raman au travers de l'analyse du couplage qui prend effet entre le phonon lo() et l'oscillation collective d'un gaz dense de trous localise a l'interface cote substrat. Selon le type de conductivite de la couche, ce gaz de porteurs resulte, soit d'un ancrage du niveau de fermi par les defauts d'interface, soit de la formation d'une zone d'accumulation de trous, sous les effets conjugues d'un fort transfert de charge interfacial et de l'interdiffusion du zinc et du gallium. Lorsque la couche est de type p, un modele simple developpe dans le cadre du formalisme de la reponse dielectrique donne acces a une representation approximative, cote substrat, du schema de bande interfacial, dans la limite d'une faible courbure des bandes electroniques

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Informations

  • Détails : 126-[8] f.-[58] f. de pl

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1992TOU30239
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