Etude du transistor bipolaire a heterojonction algaas/gaas pour applications a la conversion analogique/numerique

par ZOLANA ENKONDA

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de EMMANUEL CAQUOT.

Soutenue en 1992

à Paris 11 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La montee en haut debit du traitement et de la transmission de l'information cree un besoin des convertisseurs analogique/numerique (can) ultra-rapides dans la chaine de traitement et de communication numeriques de l'information. Les potentialites des materiaux iii-v et de la structure bipolaire font du transistor bipolaire a heterojonction (tbh) algaas/gaas un candidat tout designe pour la conception des can. Pour une bonne prediction des performances attendues du can, le concepteur a besoin, entre autres, d'une description electrique simple sous forme de modele cao satisfaisant. Il a aussi besoin de connaitre les dispersions technologiques au-dela desquelles certains criteres de performance du can, tel que la resolution en bit, ne sont plus garantis. A notre connaissance, ce double besoin n'a jamais fait l'objet d'une etude approfondie. Ce travail repond ainsi a cette double demande tant au point de vue du concepteur que du technologue. Une investigation de quelques architectures du can ultra-rapide a ete effectuee. Cela a permis de correler les caracteristiques dominantes du can aux facteurs de merite du tbh gaas. Cette investigation a debouche sur la necessite d'une etude de la sensibilite de la tension de seuil du tbh en vue de determiner les tolerances maximales des parametres technologiques du tbh gaas vis-a-vis de la resolution du can. A l'issue de cette etude, il a ete dresse une table de tolerance liant les parametres technologiques du tbh a la resolution en bit du can. Dans le cadre du tbh, une interpretation physico-electrique detaillee du modele non lineaire de gummel-poon a ete faite. Cela a ete l'occasion de montrer que ce modele pouvait s'appliquer au tbh gaas. Afin d'acceder aux parametres du modele, une strategie d'extraction a ete developpee. Elle repose sur une procedure d'optimisation globale. Pour sa mise en uvre, une etude comparative d'un certain nombre d'extracteurs a ete effectuee. Cela a debouche sur des extractions capables de traduire le comportement reel tant du tbh gaas que du bjt si. Grace a ce travail, il a ete possible de realiser des circuits fonctionnels ayant des performances proches de celles attendues par les concepteurs


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 248 P.
  • Annexes : 68 REF.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-011083
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.