Photoemission et photoemission assistee par champ de structures metal/semi-conducteur en affinite electronique negative : structure de bandes et proprietes de transport electronique dans les semi-conducteurs

par JACQUES PERETTI

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de GEORGES LAMPEL.

Soutenue en 1992

à Paris 11 .

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  • Résumé

    L'idee directrice de ce travail est de determiner experimentalement les proprietes electroniques d'un semi-conducteur d'un point de vue structurel, c'est-a-dire de mesurer sa structure de bandes, et d'un point de vue dynamique, a savoir d'identifier et de caracteriser les phenomenes qui regissent le transport electronique dans ce materiau. La distribution en energie des electrons photoemis par une structure ag/inp en affinite electronique negative est mesuree pour differentes valeurs de l'energie d'excitation lumineuse. La dispersion des premieres bandes de valence et de conduction de inp est ainsi exploree. En particulier, des contributions a l'energie de ces bandes des interactions avec les bandes eloignees sont mesurees. Les positions des minima secondaires des premiere et deuxieme bandes de conduction sont egalement determinees. Le transport d'electrons chauds dans inp est etudie par photoemission assistee par champ electrique d'une diode schottky ag/inp en affinite electronique negative. La distribution en energie des electrons photoemis est mesuree, a energie d'excitation fixee, pour differentes valeurs de la tension inverse appliquee a la jonction. Les resultats fournissent une image spectroscopique directe du transport electronique a l'interieur du cristal d'inp qui met en evidence les phenomenes physiques dominants. L'interpretation, basee sur des modeles originaux et intuitifs, permet d'acceder aux temps caracteristiques de collision electron phonon, dans l'ensemble de la premiere bande de conduction. Des informations sur la structure des niveaux electroniques de conduction sont egalement obtenues


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  • Annexes : 144 REF

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  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-010658
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