Etude spectroscopique en rayonnement synchrotron de la chimisorption et de la formation de l'epitaxie des terres rares sur semi-conducteur

par OUMAR SAKHO

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Giorgio Rossi.

Soutenue en 1992

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Les etats electroniques des premieres etapes de la formation des interfaces dy/si(111), ho/si(111), sm/si(111), yb/si(111) et yb/inp(110) et de l'epitaxie des siliciures de dy et ho ont ete etudies par deux types de spectroscopies utilisant le rayonnement synchrotron comme source: la photoemission et l'absorption de rayons x. L'analyse des spectres des photoelectrons des niveaux de cur de la terre rare et du substrat nous permet de conclure sur l'evolution, a partir du stade de la chimisorption, des environnements de siliciures inhomogenes dans une region etroite de l'interface (inferieure a 10a) ainsi que sur la croissance epitaxiale et homogene de siliciures de type alb2 apres recuit. Les experiences d'absorption x avec du rayonnement synchrotron polarise lineairement (seuils m4,5 dy, ho et sm) montrent un dichroisme du a la composante axiale du champ cristallin dans les sites de terres rares de la couche epitaxiee quasi bidimensionnelle. L'ensemble des experiences de photoemission et d'absorption x permet d'etablir le comportement de valence intermediaire dans les interfaces yb/si(111) et yb/inp(110)

  • Titre traduit

    Spectroscopic study using synchrotron radiation of chemisorption and formation of rare earth epitaxy on semiconductor surfaces


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Informations

  • Annexes : 145 REF

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  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
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  • Cote : TS1992
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