Depot de nitrure de silicium et d'oxynitrure de silicium sur semi-conducteurs iii-v par thermie rapide

par FREDERIC LEBLAND

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Serge Rigo.

Soutenue en 1992

à Paris 7 .

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  • Résumé

    En utilisant un processus de decomposition en phase vapeur rtcvd (rapid thermal chemical vapour deposition), nous avons obtenu des couches minces de dielectriques sur semi-conducteurs iii-v. Cette technique dans un reacteur a parois froides utilise des cycles de temperature tres rapides qui permettent le depot sur des materiaux thermiquement fragiles. Des couches de nitrure de silicium et d'oxynitrure de silicium sont deposees a 750c sur des materiaux iii-v. Apres une etude en fonction des parametres experimentaux, il a ete obtenu des vitesses de l'ordre de 200 a/s. Une caracterisation complete de ces materiaux a ete effectuee: surface, volume, interface dielectrique-semi-conducteur. La morphologie de surface du dielectrique a une incidence sur le comportement d'une onde lumineuse reflechie sur la surface en particulier au cours de mesures ellipsometriques. Un montage de mesure de deformation de grande sensibilite a ete effectue. Nous avons mis en evidence l'influence des oxydes natifs des semi-conducteurs sur la contrainte exercee sur le substrat. De plus entre le nitrure de silicium qui est tensile et la silice qui est compressive nous avons montre la possibilite de deposer des couches de contrainte nulle. Ceci n'a pu etre obtenu qu'apres une etude de la stchiometrie de l'oxynitrure de silicium. Enfin un guide d'onde purement dielectrique a ete realise sur inp


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Informations

  • Annexes : 123 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • PEB soumis à condition
  • Cote : TS(1992) 101
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