Mecanismes de croissance de dielectriques par nitruration et par oxydation thermique rapide du silicium

par JEAN-JACQUES GANEM

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Serge Rigo.

Soutenue en 1992

à Paris 7 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'etude des mecanismes de croissance de nitrure de silicium par traitement thermique rapide a etabli l'existence d'un regime initial rapide, associe a la nitruration de l'interface silicium/dielectrique, suivi d'un regime plus lent limite par le transport des especes nitrurantes, dans une seule direction, a travers le film forme. La nitruration de l'oxyde de silicium est caracterisee par la diffusion des especes qui reagissent avec la silice. L'observation de l'oxydation thermique rapide du silicium, realisee sous atmosphere statique d'oxygene isotopiquement marque, suggere une explication qui rendrait compte du regime initial rapide: l'apparition, dans les premieres secondes, de debris de silicium cristallin dans l'oxyde forme


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Annexes : 83 REF

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • PEB soumis à condition
  • Cote : TS(1992) 065
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.