Transport et effets dependant du spin dans des dispositifs au silicium cristallin et amorphe

par MANOJ BHATNAGAR

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de IONEL SOLOMON.

Soutenue en 1992

à Paris 6 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Cette these presente l'utilisation d'une technique tres particuliere: la recombinaison dependante du spin (rds). Cette technique a ete appliquee a deux systemes: 1) des couches de silicium amorphe hydrogene et ses alliages avec le carbone (silicium amorphe methyle obtenu par decharge luminescente en regime basse puissance) avec des porteurs photo-crees; 2) des diodes p-n au silicium cristallin et des photodiodes p-i-n au silicium amorphe ou les porteurs sont injectes a partir des electrodes. Dans les deux cas, nous avons montre qu'il y a pompage d'etats de spins triplets resultant des regles de selection de spin dans la recombinaison. Dans cette these la rds est obtenue, non pas par saturation de la raie electronique (rds resonnant), mais par l'application d'un faible champ magnetique (magneto-resistance de spin)


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Informations

  • Détails : 132 P.
  • Annexes : 96 REF.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Accessible pour le PEB
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 1992
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