Depot chimique en phase vapeur de l'oxyde supraconducteur a haute temperature critique yba#2cu#3o#7##x

Mocvd of yba#2cu#3o#7##x

• Auteur / Autrice : CATHERINE SANT
• Direction : Christian Verié
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Nice

Résumé

Les applications les plus immediates des materiaux supraconducteurs a haute temperature critique (schtc) de type yba#2cu#3o#7##x, se situent dans le domaine de l'electronique. L'elaboration de couches minces de haute qualite de ce compose est indispensable a la realisation de dispositifs electroniques. Le depot chimique en phase vapeur a partir de precurseurs organometalliques (mocvd) constitue une methode de choix pour la realisation de ce type de depot. Cependant, les seuls precurseurs organometalliques actuellement connus pour une utilisation en mocvd des schtc sont solides, thermiquement peu stable et ont une faible tension de vapeur. Ces caracteristiques entrainant, jusqu'a ce jour, une non-reproductibilite importante des depots ont limite le developpement de la mocvd des schtc. Nous avons mis au point un systeme de conditionnement de ces composes assurant leur stabilite thermique et une bonne reproductibilite des reactions de depot. Les parametres de croissance ont ete optimises et ont permis d'obtenir des depots de cuprate yba#2cu#3o#7##x presentant des caracteristiques supraconductrices elevees (temperatures critiques >90k). L'etude de l'influence du support sur la morphologie et les qualites cristalline et supraconductrice des films a egalement ete menee