Croissance et caracterisation de couches minces d'oxyde de silicium obtenues par plasma de composes organosilicies. (hmdso, teos)

par CHRISTIAN BOURREAU

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guy Turban.

Soutenue en 1992

à Nantes .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Ce memoire a pour sujet l'elaboration de couches minces d'oxyde de silicium par plasma de composes organosilicies (hmdso et teos). L'etude de l'influence des parametres du reacteur de depot sur la vitesse de croissance des couches minces a montre l'importance de la temperature du substrat. Quel que soit le precurseur gazeux utilise, cette vitesse decroit sensiblement avec la temperature. Differentes techniques d'analyse ont permis de tester la qualite des films obtenus: mesure de l'indice optique et de la vitesse d'attaque par hf, caracterisation electrique a l'aide de structures mos. L'analyse chimique, effectuee essentiellement par spectroscopie infrarouge, montre que les films possedant des proprietes physiques interessantes ont une structure tres proche de la silice stchiometrique. Les resultats experimentaux precedents ont permis de degager les caracteristiques du mode de croissance. L'etude de couches realisees, a titre comparatif, a partir du silane, a conduit a des resultats tres differents. En utilisant le silane, la formation du film est principalement controlee par des reactions initiees dans le plasma. Pour les composes organometalliques, la croissance est controlee par des reactions se deroulant a la surface du substrat. Dans ce cas les phenomenes d'adsorption et de desorption jouent un role primordial. Un mecanisme reactionnel complet a ete propose pour les depots realises a partir de hmdso. L'etude des recouvrements de marche a permis d'etablir une correlation etroite entre le mode de croissance et la conformite du depot. Le recouvrement de marches par les films realises a partir du silane est caracteristique d'une croissance isotrope, et donc de tres mauvaise qualite. Une amelioration tres nette de ce recouvrement, controle par les phenomenes d'adsorption et de desorption, est observee pour les depots obtenus a partir des composes organosilicies


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Informations

  • Détails : 135 p
  • Annexes : 86 REF

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  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 92 NANT 2004
  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 92 NANT 2004
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