Caractérisation électrique d'hétérostructures et de couches minces semiconductrices par effet Hall : I - Superréseaux GaAs/AlAs : II - Silicium sur isolant

par Philippe Jeanjean

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux

Sous la direction de J.-L. Robert.

Soutenue en 1992

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Le manuscrit comporte deux parties: i) cette partie est consacree a la caracterisation electrique par effet hall de superreseaux gaas/alas dopes selectivement silicium dans gaas, alas, a l'interface. Nous mettons en evidence la structure multiniveaux du centre dx lie au donneur silicium. Nous determinons l'energie des niveaux associes dans gaas en alas. Nous interpretons l'effet de photoconductivite persistante grace a l'existence de 1, 2 ou 3 niveaux dx selon le type de dopage. Nous demontrons egalement l'existence d'une diffusion du silicium dans les couches adjacentes pour les dopages selectifs. Enfin nous interpretons des mesures d'effet hall sous pression hydrostatique. Ii) nous presentons les resultats de mesures electriques et piezoresistivite de couches minces si polycristallin depose sur substrat si oxyde (lpcvd, pecvp). Nous comparons les resultats obtenus sur des couches dopes par technique in situ et par technique d'implantation ionique. Nous examinons l'influence des conditions de recuit (recuit classique et recuit rapide)

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Informations

  • Détails : 184 f.
  • Annexes : Bibliogr.: f. [181]-184

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 92.MON-167
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