Contribution à l'étude des circuits de technologie silicium sur saphir sous irradiation transitoire

Contribution to the study of the silicon on sapphire technology under transient radiation

• Auteur / Autrice : Jean-Daniel Saussine
• Direction : Jean Gasiot
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Composants, signaux et systèmes
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microélectronique

Matériaux

Circuits intégrés

MOS complémentaires

Photons

Photoconductivité

Silicium -- Substrats

Technologie silicium sur isolant

Essais (technologie)

Charge d'espace

Méthodes de simulation

Résumé

Les rayonnements ionisants intenses generent des paires electron-trou sur les dispositifs de technologie silicium sur isolant. Sous l'action d'un champ electrique, ces porteurs libres peuvent etre a l'origine d'un mauvais fonctionnement d'un circuit integre. Nous abordons ici, l'etude de structures et de composants de technologie silicium sur saphir. Il est generalement admis que, sous impulsion, la composante principale du photocourant d'un transistor mos sur un substrat saphir, provient du saphir. Nous presentons les methodes experimentales utilisees ainsi que les moyens de simulation mis en uvre afin de caracteriser le comportement de structures et transistors mos sur saphir sous irradiation transitoire. Nous mettons en evidence, au niveau des transistors, les differentes sources de photocourant et leur predominance suivant les geometries employees. A partir de ces resultats experimentaux et de simulation, nous definissons des regles de durcissement applicables aux circuits de technologie cmos sur saphir