EPVOM et caractérisation de couches de Ga1-xInx(Asy)Sb1-y pour la photodétection au-delà de 2 micromètresEtude des mécanismes de croissance du Ga1-xInxSb

par Jaber Kaoukab-Raji

Thèse de doctorat en Composants, signaux et systèmes

Sous la direction de GEORGES BOUGNOT.

Soutenue en 1992

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Apres une etude sur les criteres de choix d'un semiconducteur pour la photodetection dans l'infrarouge, nous justifions le choix du iii-v: gainassb. Dans un premier temps, l'epitaxie par e. P. V. O. M. Suivant la voie dite desaccordee du ga#1##xin#xsb est etudiee: croissance, caracterisations electriques et optiques. Apres le dopage de ce dernier, une homojonction a donne une reponse a une excitation photonique de 2,77 um. Les premiers essais de penetration dans la lacune de miscibilite du gainassb ont ete effectues: le coefficient d'absorption du quaternaire a ete mesure et des compositions en accord de maille ont ete atteintes. D'autre part, en vue de realiser un puits quantique de ga#1##xin#xsb-gasb, le mecanisme de croissance a ete etudie et les parametres de croissance optimises afin d'obtenir une croissance bidimensionnelle

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  • Détails : [2], 150, [3] f
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  • Cote : TS 92.MON-59
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