Etude de couches minces de carbure de silicium déposées par CVD assistée plasma basse fréquence

par Eric Gat

Thèse de doctorat en Chimie des matériaux

Sous la direction de Jean Durand.

Soutenue en 1992

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Des couches minces de carbure de silicium amorphe et hydrogene a-si#xc#1##x:h sont elaborees a basse temperature (inferieure a 150#c) par la technique cvd assistee d'un plasma reactif basse frequence (110 khz), a partir d'un melange de gaz silane et methane dilue dans l'helium. Les methodes de caracterisation meb, ir, aes et reaction nucleaire nous ont permis de definir la morphologie, la nature et la composition des depots. Une nature inorganique et compacte est revelee, independamment de la position des substrats (silicium) dans le reacteur; elle resulte d'un bombardement ionique relativement intense de la surface des films en croissance. Une etude structurale menee a partir d'analyses ir, aes et exafs met en evidence, pour les films de composition x voisine de 0,5, une microstructure particuliere, homogene et proche de celle d'un reseau a-sic, qui leur confere des proprietes thermomecaniques (durete, faibles contraintes internes, stabilite thermique) et optiques (bonne transmission dans le domaine du visible) optimales. Un caractere polymere de faible mouillabilite de la surface des films exposes a l'air ambiant, accentue pour des teneurs en carbone elevees, est revele par des mesures de tensiometrie. Il est relie, par aes, a l'incorporation de groupements alkyles et a la formation d'une couche de contamination de nature originale, soit un compose complexe si#x(o#yc#z:h)

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  • Détails : [9], 146 p
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Cote : TS 92.MON-30
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