Thèse de doctorat en Sciences. Physique des matériaux et des surfaces
Sous la direction de Christian Jardin.
Soutenue en 1992
à Lyon 1 .
Le jury était composé de Christian Jardin.
Les evolutions de la surface (100) du phosphure d'indium a la suite de son traitement par bombardement ionique, recuit thermique ou metallisation par l'argent sont etudiees a l'aide des spectroscopies d'electrons auger et de pertes d'energie. Il se produit une dissociation des liaisons in-p avec apparition d'indium metallique en exces responsable de la formation d'un contact ohmique. Nous avons pu effectuer une stabilisation de la surface inp(100) par un depot d'antimoine suivi d'une phase de recuit thermique. Cet element de la colonne v reagit avec l'indium metallique pour former de l'antimoniure d'indium. Ceci limite l'interdiffusion de l'indium et du phosphore au cours du processus de metallisation a l'argent et ameliore la caracteristique electrique du contact metal-semiconducteur resultant
Study of ag-inp(100) interface stabilized by antimony. Electrical and structural characterization
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