Caractérisations électriques d'hétérostructures de semi-conducteurs

par Xavier Letartre

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Didier Stiévenard.

Soutenue en 1992

à Lille 1 .


  • Résumé

    L'objectif de ce travail est de démontrer que l'utilisation de techniques de caractérisation électrique permet de déterminer, avec une bonne précision, la discontinuité de bande d'une hétérojonction. En premier lieu, une étude détaillée de la technique c(v) permet de sélectionner les hétérostructures les mieux adaptées à la détermination de la discontinuité de bande par cette technique. Pour ces dernières, une méthode systématique est présentée, permettant une mesure précise de ce paramètre. D'autre part, l'interprétation de la spectroscopie d'admittance sur un multipuits quantique est améliorée et la précision de cette technique en est notablement augmentée. Enfin, un modèle original du comportement d'un puits quantique en d. L. T. S. Est élaboré. Celui-ci démontre la pertinence de cette technique d'une part pour mettre en évidence les phénomènes de conduction dans une hétérostructure (effets thermo-ionique et tunnel) et, d'autre part, pour mesurer la discontinuité de bande. L'application de ces trois techniques aux systèmes GaAs/GaAlAs et GaAs/GaInAs permet la mesure de leur discontinuité de bande respective

  • Titre traduit

    Electrical characterizations of semiconductors heterostructures


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Informations

  • Détails : 1 vol. (155 p.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1992-161
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