Contribution à l'étude des défauts DX et EL2 et propriétés de transport dans les plans de dopage GalnAs, GaAs et dans les hétérojonctions InGaAs/AlGaAs, GalnP/GaAs

par Emmanuel Ranz

Thèse de doctorat en Physique et structure des solides

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1992

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Les divers etats metastables de type masse effective associes au centre dx dans algaas sont etudies au voisinage du croisement de bande. L'approfondissement anormal du niveau gamma sous champ magnetique revele la presence d'un etat de symetrie a1 identifie comme le troisieme etat du centre dx. L'etat metastable du niveau el2 dans gaas possede un niveau additionnel (o/-) resonnant capable de pieger les porteurs sous pression hydrostatique. Dans cet echantillon, la concentration de porteurs, proche de la densite critique de mott, a permis l'etude de la transition metal isolant induite par champ magnetique. Le modele de thomas-fermi adapte aux structures a plan de dopage dans gainas et gaas et les resultats de magnetotransport ont permis de degager certaines conclusions quant aux effets lies a l'elargissement du profil de dopage ou de non-parabolicite. Les structures a plans de dopage multiples sont ensuite etudiees. Enfin, les resultats de magnetotransport dans les heterojonctions ingaas/algaas, gainp/gaas sont analyses, en particulier la conduction parallele due a la presence de porteurs dans la barriere

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  • Détails : 238 p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1992/213/RAN
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