Propriétés statiques et dynamiques d'un transistor bipolaire à collecteur réalisé par implantation haute énergie développé en technologie VLSI CMOS

par Arlette Marty

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de A. Nouailhat.

Soutenue en 1992

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'etude d'un transistor bipolaire compatible avec la technologie cmos du centre national d'etudes des telecommunications de meylan. Dans un premier temps, la structure du composant est presentee: elle est derivee de celle du transistor pmos et sa specificite est l'utilisation d'un caisson de phosphore implante a haute energie en tant que collecteur. Nous decrivons les procedures et les outils de caracterisation mis en jeu. Apres avoir expose les effets collecteurs, nous procedons a une etude approfondie du comportement du collecteur implante a haute energie au moyen de la simulation: les mecanismes provoquant la degradation des performances a fort niveau de courant sont mis en evidence. L'influence de la siliciuration sur les caracteristiques electriques du transistor est analysee. A partir de mesures statiques, dynamiques et des resultats obtenus sur des oscillateurs en anneau ecl, nous donnons une evaluation du dispositif pour deux types de collecteurs: un collecteur correspondant au caisson du pmos et un collecteur plus fortement dope. Ces performances sont comparees a celle de transistors dont le collecteur est constitue d'une couche enterree et d'une epitaxie. Ainsi, nous montrons que la technologie bicmos developpee correspond a un excellent compromis cout-performance. Enfin, l'integration du composant dans un circuit utilisable dans les telecommunications prouve que cette technologie est adaptee aux applications fonctionnant jusqu'a des frequences de quelques gigahertz

  • Titre traduit

    Static and dynamic properties of a bipolar transistor with high energy ion implanted collector developed in vlsi cmos technology


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Informations

  • Détails : 176 p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1992/214/MAR
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