Propriétés électroniques de structures semiconductrices III-V à effet tunnel résonnant sous pression hydrostatique et sous fort champ magnétique

par Luiz Alberto Cury

Thèse de doctorat en Physique et structure des solides

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 1992

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    Nous presentons des etudes experimentales, sous pression hydrostatique et sous fort champ magnetique, de structures semiconductrices a effet tunnel resonnant. Les effets de la pression sur les caracteristiques courant-tension pour un echantillon du type (inga)as-(inal)as sont bien expliques en ne tenant compte que de la bande de conduction gamma de la structure. L'emission phonon et d'autres processus inelastiques reperes dans la vallee du courant pour ce type d'echantillons sont etudies sous pression. L'effet magnetopolaron, comme etant a l'origine de differentes oscillations du courant vallee, a plus hautes tensions et forts champs magnetiques, est discute. Les effets du champ magnetique transverse sont etudies en utilisant deux categories de structures a double barriere gaas-(alga)as, concernees par la nature differente, tridimensionnelle ou bidimensionnelle du gaz d'electrons dans l'emetteur. Les effets inattendus, dans le cas des echantillons de nature tridimensionnelle, observes sur les courbes experimentales de dispersion electronique, sont analyses par l'interaction des niveaux de landau renormalises dans l'emetteur avec les etats du puits quantique

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  • Détails : [4]-155-[17 p

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1992/179/CUR
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