Conception et réalisation d'un appareillage de frottement intérieur destiné à l'étude des matériaux semiconducteurs : application à l'étude de la mobilité des dislocations dans InSb non dopé

par Jean-Luc Gauffier

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Pierre Astié.

Soutenue en 1992

à Toulouse, INSA .


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  • Résumé

    La mobilite des dislocations dans insb non dope a ete etudiee a l'aide de deux techniques experimentales: mesure des pertes d'energie elastique (frottement interieur) et deformation plastique in situ en microscopie electronique en transmission (m. E. T. ). On a concu et realise un appareillage destine a la mesure du frottement interieur sous tres faible contrainte en fonction de la frequence entre 10##4 et 10 hz a des temperatures comprises entre l'ambiante et 1000 k: le pendule de torsion, specialement adapte a la mesure d'eprouvettes tres fragiles, a permis de donner avec une bonne precision l'energie d'activation du deplacement de dislocations vis qui est de (1,27+0,03 ev). Cette energie a ete comparee a celle obtenue en deformant insb in situ en m. E. T. Qui conduit a (1,35+0,1 ev). La comparaison des deux methodes a permis d'estimer l'energie de migration des decrochements (<0,4 ev) et de formation des paires de decrochements (1,2 ev). Ces resultats constituent une base precieuse pour les calculs de structure de cur des dislocations, qui est tres particuliere dans les composes iii-v de nature non centro-symetrique

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  • Détails : 129 f

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1992/182/GAU
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