Realisation par epitaxie en phase liquide de photopiles performantes algaas/gaas a base de substrat polycristallin

par HAMADOU SOUMANA

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de A. LAUGIER.

Soutenue en 1992

à Villeurbanne, INSA .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le travail presente a pour objectif de montrer qu'il est possible d'obtenir des performances acceptables tout en reduisant le cout du dispositif en utilisant des substrats polycristallins brut de sciage. Les principales phases de ce travail sont: apres un decapage chimique pendant 20 mn a 250c par une solution h2so4-h2o2-h2o: 5-1-1, une couche tampon n-gaas dopee sn est deposee par epitaxie en phase liquide sur le substrat du type n non dope (n#i<10#1#6cm-#3). Puis une fenetre mince graduelle est realisee par contact isotherme entre un bain ternaire ga-al-as sature en as, dope au be et la couche n-gaas:sn. La jonction p-n est creee dans la couche n-gaas:sn par diffusion du be au cours de la croissance de la couche superieure gal-xalxas. Les operations technologiques permettant la realisation du composant photovoltaique: metallisation, recuit thermique, gravure de la mesa, depot des couches anti-reflets. La caracterisation electrique des photopiles: mesure de la reponse spectrale i(v) sous obscurite et sous eclairement. Les meilleurs resultats obtenus sous eclairement am1,5 (100mw/cm#2) avec couches anti-reflets sont: cellule sans joint de grains: j#c#c=26 ma/cm#2 v#c#o=927 mv ff=0,78 r#t=18,8%; cellule avec joint de grains: j#c#c=25,7 ma/cm#2 vco=903 mv ff=0,77 r#t=17,9%. L'effet des joints de grains et l'activite electrique des grains ont ete etudies par lbic et par cartographie de courant de court circuit et de tension de circuit-ouvert


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  • Annexes : 112 REF

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