Développement de technologies de fabrication de transistors bipolaires en VLSI

par Nicolas Degors

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Alain Nouailhat.

Soutenue en 1992

à Villeurbanne, INSA .


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  • Résumé

    Ce travail correspond au chaînon technologique liant le transistor bipolaire classique autoaligné à émetteur polysilicium à la génération des transistors bipolaires silicium à base fine épitaxiée, ou transistors à pseudo-hétérojonction. Utilisant les étapes de la filière CMOS avancée du CNS, les performances du bipolaire compatible CMOS (technologie BiCMOS développée dans un travail antérieur) ont été améliorées. Les effets de l'interface polysilicium-silicium et de la siliciuration autoaligné du système émetteur-base extrinsèque sur le fonctionnement du transistor ont été interprétés. A partir de ce type de composant optimisé, le développement de nouveaux dispositifs a commencé en introduisant dans un premier temps, un nouvel émetteur par la technique épitaxique, puis, dans un deuxième temps, une base fine épitaxiée, la structure N+ NP+ N obtenue correspondant au transistor à pseudo-hétérojonction. Différents problèmes entraînés par l'intégration de l'épitaxie du système émetteur-base dans un procédé VLSI ont été analysés sur lots et des solutions trouvées ouvrant ainsi la voie aux dispositifs utilisant le Band Gap Engineering.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (121 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 113-121

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2506)
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