Développement de technologies de fabrication de transistors bipolaires en VLSI

by Nicolas Degors

Thèse de doctorat en Composants électroniques

Sous la direction de Alain Nouailhat.


  • Résumé

    Ce travail correspond au chaînon technologique liant le transistor bipolaire classique autoaligné à émetteur polysilicium à la génération des transistors bipolaires silicium à base fine épitaxiée, ou transistors à pseudo-hétérojonction. Utilisant les étapes de la filière CMOS avancée du CNS, les performances du bipolaire compatible CMOS (technologie BiCMOS développée dans un travail antérieur) ont été améliorées. Les effets de l'interface polysilicium-silicium et de la siliciuration autoaligné du système émetteur-base extrinsèque sur le fonctionnement du transistor ont été interprétés. A partir de ce type de composant optimisé, le développement de nouveaux dispositifs a commencé en introduisant dans un premier temps, un nouvel émetteur par la technique épitaxique, puis, dans un deuxième temps, une base fine épitaxiée, la structure N+ NP+ N obtenue correspondant au transistor à pseudo-hétérojonction. Différents problèmes entraînés par l'intégration de l'épitaxie du système émetteur-base dans un procédé VLSI ont été analysés sur lots et des solutions trouvées ouvrant ainsi la voie aux dispositifs utilisant le Band Gap Engineering.

  • Titre traduit

    = Process development for making bipolar transistor in VLSI


  • Résumé

    This work consists of the technological link between the classical selfaligned polysilicon-emitter bipolar transistor and the new silison bipolar transistors generation with a epitaxial base, also called pseudo-heterojonction bipolar transistor. We have improved the performance of the CMOS Compatible bipolar transistor previously developped using the advanced CMOS process of the CNS. We have interpreted the effects of the polysilicon-silicon interface and the self aligned silicidation of the extrinsic emitter-base system on the operation of the bipolar transistor. Startingfrom this optimised device, we have deyelopped a new structure by first introducing an epitaxial emitter, and then, a thin epitaxial base. The N+NP+N structure obtained is a pseudo heterojonction bipolar transistor. Difficulties arising from the integration of the emitter-base epitaxy in a VLSI process have been anal sed and solutions have been proposed. This opens the wa to new deviees usin "Band Gap Engineering »

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Informations

  • Détails : 1 vol. (121 p.)
  • Notes : Thèse confidentielle jusqu'au 13/10/2002
  • Annexes : Bibliogr. p. 113-121

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2506)
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